SVGP157R5NT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVGP157R5NT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 689 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de SVGP157R5NT MOSFET
SVGP157R5NT Datasheet (PDF)
svgp157r5nt svgp157r5np7.pdf

SVGP157R5NT(P7) 100A150V N 2SVGP157R5NT(P7) N MOS LVMOS 1
svgp15751pl3.pdf

SVGP15751PL3 -3A-150V P SVGP15751PL3 P MOS S D18 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svgp15140nl5a.pdf

SVGP15140NL5A 100A150V N SVGP15140NL5A N MOS S D1 8 LVMOS S 7 D2 DS 3 6
Otros transistores... SVGP104R5NT , SVGP107R0NL5 , SVGP15110NL5 , SVGP15140NL5A , SVGP15161PL3A , SVGP15751PL3 , SVGP157R2NS , SVGP157R5NP7 , 5N60 , SVGP159R3NL5ATR , SVGP159R3NL5TR , SVGP20110NP7 , SVGP20110NS , SVGP20110NSTR , SVGP20110NT , SVGP20500NL5 , SVGQ041R3NL5V-2HSTR .
History: AOW480 | ZXMN6A09K | 2SK1465 | FQD14N15TM | 2SK1818-MR | HFD1N60S | LSGE04R035
History: AOW480 | ZXMN6A09K | 2SK1465 | FQD14N15TM | 2SK1818-MR | HFD1N60S | LSGE04R035



Liste
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MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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