SVGP157R5NT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVGP157R5NT 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 689 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: TO220

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Búsqueda de reemplazo de SVGP157R5NT MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SVGP157R5NT datasheet

..1. Size:424K silan
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SVGP157R2NS 100A 150V N 2 SVGP157R2NS N MOS LVMOS 1 3

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