SVGP157R5NT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVGP157R5NT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 48 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 689 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SVGP157R5NT Datasheet (PDF)
svgp157r5nt svgp157r5np7.pdf

SVGP157R5NT(P7) 100A150V N 2SVGP157R5NT(P7) N MOS LVMOS 1
svgp15751pl3.pdf

SVGP15751PL3 -3A-150V P SVGP15751PL3 P MOS S D18 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svgp15140nl5a.pdf

SVGP15140NL5A 100A150V N SVGP15140NL5A N MOS S D1 8 LVMOS S 7 D2 DS 3 6
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SWP630D | BUK7E11-55B | SVGP104R1NL5 | SVGP104R5NAS | UT3414
History: SWP630D | BUK7E11-55B | SVGP104R1NL5 | SVGP104R5NAS | UT3414



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84