SVGP157R5NT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVGP157R5NT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 48 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 689 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SVGP157R5NT
SVGP157R5NT Datasheet (PDF)
svgp157r5nt svgp157r5np7.pdf
SVGP157R5NT(P7) 100A150V N 2SVGP157R5NT(P7) N MOS LVMOS 1
svgp15751pl3.pdf
SVGP15751PL3 -3A-150V P SVGP15751PL3 P MOS S D18 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svgp15140nl5a.pdf
SVGP15140NL5A 100A150V N SVGP15140NL5A N MOS S D1 8 LVMOS S 7 D2 DS 3 6
svgp15110nl5.pdf
SVGP15110NL5 76A150V N SD18SVGP15110NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6
svgp159r3nl5atr svgp159r3nl5tr.pdf
SVGP159R3NL5A(L5) 87A150V N S D18SVGP159R3NL5A(L5) N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6 G 4 5 D
svgp15161pl3a.pdf
SVGP15161PL3A -9A-150V P SSVGP15161PL3A P MOS D18 LVMOS S D2 7 DS3 6
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918