SVGP159R3NL5TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVGP159R3NL5TR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 87 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 91 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 710 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0093 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN8-5X6
- Selección de transistores por parámetros
SVGP159R3NL5TR Datasheet (PDF)
svgp159r3nl5atr svgp159r3nl5tr.pdf

SVGP159R3NL5A(L5) 87A150V N S D18SVGP159R3NL5A(L5) N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6 G 4 5 D
svgp15140nl5a.pdf

SVGP15140NL5A 100A150V N SVGP15140NL5A N MOS S D1 8 LVMOS S 7 D2 DS 3 6
svgp15110nl5.pdf

SVGP15110NL5 76A150V N SD18SVGP15110NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: 15N10B | GSM2341 | RRL025P03 | 2SK2715 | IPI200N15N3 | BSS123A | IPD60R600E6
History: 15N10B | GSM2341 | RRL025P03 | 2SK2715 | IPI200N15N3 | BSS123A | IPD60R600E6



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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