SVGP159R3NL5TR datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SVGP159R3NL5TR 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 87 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 91 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm
Тип корпуса: PDFN8-5X6
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SVGP159R3NL5TR
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SVGP159R3NL5TR даташит
svgp15110nl5.pdf
SVGP15110NL5 76A 150V N S D 1 8 SVGP15110NL5 N MOS S D 2 7 LVMOS D S 3 6
Другие IGBT... SVGP15110NL5, SVGP15140NL5A, SVGP15161PL3A, SVGP15751PL3, SVGP157R2NS, SVGP157R5NP7, SVGP157R5NT, SVGP159R3NL5ATR, K3569, SVGP20110NP7, SVGP20110NS, SVGP20110NSTR, SVGP20110NT, SVGP20500NL5, SVGQ041R3NL5V-2HSTR, SVGQ041R7NL5V-2HSTR, SVGQ042R8NL5V-2HSTR
History: DKI10299 | DL2M100N5
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta







