SVGP159R3NL5TR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVGP159R3NL5TR  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 87 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 91 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm

Тип корпуса: PDFN8-5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVGP159R3NL5TR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVGP159R3NL5TR даташит

 ..1. Size:493K  silan
svgp159r3nl5atr svgp159r3nl5tr.pdfpdf_icon

SVGP159R3NL5TR

 8.1. Size:399K  silan
svgp15140nl5a.pdfpdf_icon

SVGP159R3NL5TR

 8.2. Size:380K  silan
svgp157r2ns.pdfpdf_icon

SVGP159R3NL5TR

SVGP157R2NS 100A 150V N 2 SVGP157R2NS N MOS LVMOS 1 3

 8.3. Size:443K  silan
svgp15110nl5.pdfpdf_icon

SVGP159R3NL5TR

SVGP15110NL5 76A 150V N S D 1 8 SVGP15110NL5 N MOS S D 2 7 LVMOS D S 3 6

Другие IGBT... SVGP15110NL5, SVGP15140NL5A, SVGP15161PL3A, SVGP15751PL3, SVGP157R2NS, SVGP157R5NP7, SVGP157R5NT, SVGP159R3NL5ATR, K3569, SVGP20110NP7, SVGP20110NS, SVGP20110NSTR, SVGP20110NT, SVGP20500NL5, SVGQ041R3NL5V-2HSTR, SVGQ041R7NL5V-2HSTR, SVGQ042R8NL5V-2HSTR