SVGP159R3NL5TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVGP159R3NL5TR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 87 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 91 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm
Тип корпуса: PDFN8-5X6
Аналог (замена) для SVGP159R3NL5TR
SVGP159R3NL5TR Datasheet (PDF)
svgp159r3nl5atr svgp159r3nl5tr.pdf
SVGP159R3NL5A(L5) 87A150V N S D18SVGP159R3NL5A(L5) N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6 G 4 5 D
svgp15140nl5a.pdf
SVGP15140NL5A 100A150V N SVGP15140NL5A N MOS S D1 8 LVMOS S 7 D2 DS 3 6
svgp15110nl5.pdf
SVGP15110NL5 76A150V N SD18SVGP15110NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6
Другие MOSFET... SVGP15110NL5 , SVGP15140NL5A , SVGP15161PL3A , SVGP15751PL3 , SVGP157R2NS , SVGP157R5NP7 , SVGP157R5NT , SVGP159R3NL5ATR , SPP20N60C3 , SVGP20110NP7 , SVGP20110NS , SVGP20110NSTR , SVGP20110NT , SVGP20500NL5 , SVGQ041R3NL5V-2HSTR , SVGQ041R7NL5V-2HSTR , SVGQ042R8NL5V-2HSTR .
History: CEM3258 | HGT022N12S | HGB050N14S | WFF10N60 | DAMI220N200 | DMP6110SSD
History: CEM3258 | HGT022N12S | HGB050N14S | WFF10N60 | DAMI220N200 | DMP6110SSD
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta