SVGP20110NP7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVGP20110NP7
Código: P20110NP7
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 313 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 88 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 64 nC
Tiempo de subida (tr): 40 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 430 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0107 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVGP20110NP7
SVGP20110NP7 Datasheet (PDF)
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SVGP20110NT(S)(P7) 88A200V N 2SVGP20110NT(S)(P7) N MOS LVMOS 1
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SVGP20500NL5 24A200V N SD18SVGP20500NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6
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