SVGP20110NP7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVGP20110NP7
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 88 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0107 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de SVGP20110NP7 MOSFET
SVGP20110NP7 Datasheet (PDF)
svgp20110nt svgp20110ns svgp20110nstr svgp20110np7.pdf
SVGP20110NT(S)(P7) 88A200V N 2SVGP20110NT(S)(P7) N MOS LVMOS 1
svgp20500nl5.pdf
SVGP20500NL5 24A200V N SD18SVGP20500NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6
Otros transistores... SVGP15140NL5A , SVGP15161PL3A , SVGP15751PL3 , SVGP157R2NS , SVGP157R5NP7 , SVGP157R5NT , SVGP159R3NL5ATR , SVGP159R3NL5TR , 8205A , SVGP20110NS , SVGP20110NSTR , SVGP20110NT , SVGP20500NL5 , SVGQ041R3NL5V-2HSTR , SVGQ041R7NL5V-2HSTR , SVGQ042R8NL5V-2HSTR , SVGQ047R6NL5V-2HS .
History: FQD7N20LTM | H4946S | 2SK1905 | IRF4104PBF | IXFH28N60P3 | STF45N10F7 | SSM6N24TU
History: FQD7N20LTM | H4946S | 2SK1905 | IRF4104PBF | IXFH28N60P3 | STF45N10F7 | SSM6N24TU
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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