SVGQ041R3NL5V-2HSTR Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVGQ041R3NL5V-2HSTR 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 68 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2020 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0013 Ohm

Encapsulados: PDFN8Q-5X6

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Búsqueda de reemplazo de SVGQ041R3NL5V-2HSTR MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SVGQ041R3NL5V-2HSTR datasheet

0.1. Size:455K silan
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SVGQ041R3NL5V-2HS 190A 40V N S D 1 8 SVGQ041R3NL5V-2HS N MOS S 7 D 2 LVMOS D S 3 6 G 4 5 D 12V

6.1. Size:406K silan
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SVGQ041R7NL5V-2HS 160A 40V N S D 1 8 SVGQ041R7NL5V-2HS N MOS S 7 D 2 LVMOS D S 3 6 G 4 5 D 12V

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SVGQ042R8NL5V-2HS 112A 40V N S D 1 8 SVGQ042R8NL5V-2HS N MOS S 7 D 2 LVMOS D S 3 6 G 4 5 D 12V

8.2. Size:439K silan
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SVGQ047R6NL5V-2HS 65A 40V N S D 1 8 SVGQ047R6NL5V-2HS N MOS S 7 D 2 LVMOS D S 3 6 G 4 5 D 12V