SVGQ041R3NL5V-2HSTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVGQ041R3NL5V-2HSTR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 68 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2020 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0013 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN8Q-5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVGQ041R3NL5V-2HSTR
SVGQ041R3NL5V-2HSTR Datasheet (PDF)
svgq041r3nl5v-2hstr.pdf
SVGQ041R3NL5V-2HS 190A40V N S D1 8SVGQ041R3NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V
svgq041r7nl5v-2hstr.pdf
SVGQ041R7NL5V-2HS 160A40V N S D1 8SVGQ041R7NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V
svgq042r8nl5v-2hstr.pdf
SVGQ042R8NL5V-2HS 112A40V N S D1 8SVGQ042R8NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V
svgq047r6nl5v-2hs.pdf
SVGQ047R6NL5V-2HS 65A40V N S D1 8SVGQ047R6NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
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