SVGQ041R3NL5V-2HSTR Todos los transistores

 

SVGQ041R3NL5V-2HSTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVGQ041R3NL5V-2HSTR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2020 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0013 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN8Q-5X6
 

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SVGQ041R3NL5V-2HSTR Datasheet (PDF)

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SVGQ041R3NL5V-2HSTR

SVGQ041R3NL5V-2HS 190A40V N S D1 8SVGQ041R3NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V

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SVGQ041R3NL5V-2HSTR

SVGQ041R7NL5V-2HS 160A40V N S D1 8SVGQ041R7NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V

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SVGQ041R3NL5V-2HSTR

SVGQ042R8NL5V-2HS 112A40V N S D1 8SVGQ042R8NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V

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SVGQ041R3NL5V-2HSTR

SVGQ047R6NL5V-2HS 65A40V N S D1 8SVGQ047R6NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V

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History: AP6900GSM-HF | AOD474B | 19N10G-TF3-T

 

 
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