SVGQ047R6NL5V-2HS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVGQ047R6NL5V-2HS 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0076 Ohm

Encapsulados: PDFN8Q-5X6

📄📄 Copiar

Búsqueda de reemplazo de SVGQ047R6NL5V-2HS MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SVGQ047R6NL5V-2HS datasheet

0.1. Size:439K silan
svgq047r6nl5v-2hs.pdf pdf_icon

SVGQ047R6NL5V-2HS 65A 40V N S D 1 8 SVGQ047R6NL5V-2HS N MOS S 7 D 2 LVMOS D S 3 6 G 4 5 D 12V

8.1. Size:455K silan
svgq041r3nl5v-2hstr.pdf pdf_icon

SVGQ041R3NL5V-2HS 190A 40V N S D 1 8 SVGQ041R3NL5V-2HS N MOS S 7 D 2 LVMOS D S 3 6 G 4 5 D 12V

8.2. Size:417K silan
svgq042r8nl5v-2hstr.pdf pdf_icon

SVGQ042R8NL5V-2HS 112A 40V N S D 1 8 SVGQ042R8NL5V-2HS N MOS S 7 D 2 LVMOS D S 3 6 G 4 5 D 12V

8.3. Size:406K silan
svgq041r7nl5v-2hstr.pdf pdf_icon

SVGQ041R7NL5V-2HS 160A 40V N S D 1 8 SVGQ041R7NL5V-2HS N MOS S 7 D 2 LVMOS D S 3 6 G 4 5 D 12V