SVGQ047R6NL5V-2HS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: SVGQ047R6NL5V-2HS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0076 Ohm
   Тип корпуса: PDFN8Q-5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам