Справочник MOSFET. SVGQ047R6NL5V-2HS

 

SVGQ047R6NL5V-2HS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVGQ047R6NL5V-2HS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0076 Ohm
   Тип корпуса: PDFN8Q-5X6
 

 Аналог (замена) для SVGQ047R6NL5V-2HS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVGQ047R6NL5V-2HS Datasheet (PDF)

 0.1. Size:439K  silan
 svgq047r6nl5v-2hs.pdf pdf_icon

SVGQ047R6NL5V-2HS

SVGQ047R6NL5V-2HS 65A40V N S D1 8SVGQ047R6NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V

 8.1. Size:455K  silan
 svgq041r3nl5v-2hstr.pdf pdf_icon

SVGQ047R6NL5V-2HS

SVGQ041R3NL5V-2HS 190A40V N S D1 8SVGQ041R3NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V

 8.2. Size:417K  silan
 svgq042r8nl5v-2hstr.pdf pdf_icon

SVGQ047R6NL5V-2HS

SVGQ042R8NL5V-2HS 112A40V N S D1 8SVGQ042R8NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V

 8.3. Size:406K  silan
 svgq041r7nl5v-2hstr.pdf pdf_icon

SVGQ047R6NL5V-2HS

SVGQ041R7NL5V-2HS 160A40V N S D1 8SVGQ041R7NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVGP20110NP7 , SVGP20110NS , SVGP20110NSTR , SVGP20110NT , SVGP20500NL5 , SVGQ041R3NL5V-2HSTR , SVGQ041R7NL5V-2HSTR , SVGQ042R8NL5V-2HSTR , 4435 , SVGQ06100ND , SVGQ06130PD , SVGQ109R5NAD , SVS11N60DD2TR , SVS11N60FD2 , SVS11N60FJD2 , SVS11N60KD2 , SVS11N60SD2 .

History: STW9NA80

 

 
Back to Top

 


 
.