SVS60R190FD4 Todos los transistores

 

SVS60R190FD4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVS60R190FD4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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SVS60R190FD4 Datasheet (PDF)

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SVS60R190FD4

SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4 20A, 600V MOS 2 SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4 N 1231TO-220FJD-3L MOSFET MOS 3 1

 8.1. Size:537K  silan
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SVS60R190FD4

SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3 11A600V MOS 2SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3 N MOSFET MOS 1 SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3

Otros transistores... SVS5N65FD2 , SVS5N65FJHD2 , SVS5N70DD2TR , SVS5N70DTR , SVS5N70FD2 , SVS5N70KD2 , SVS5N70MJD2 , SVS60R190DD4TR , EMB04N03H , SVS60R190FJDD4 , SVS60R190KD4 , SVS60R190L8AD4TR , SVS60R190SD4 , SVS60R190SD4TR , SVS60R190TD4 , SVS60R360DE3TR , SVS60R360FJDE3 .

History: MMBFJ113

 

 
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