SVS60R190TD4 Todos los transistores

 

SVS60R190TD4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVS60R190TD4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SVS60R190TD4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:727K  silan
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SVS60R190TD4

SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4 20A, 600V MOS 2 SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4 N 1231TO-220FJD-3L MOSFET MOS 3 1

 8.1. Size:537K  silan
 svs60r360fjhe3 svs60r360fjde3 svs60r360de3tr svs60r360l8ae3tr.pdf pdf_icon

SVS60R190TD4

SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3 11A600V MOS 2SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3 N MOSFET MOS 1 SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3

Otros transistores... SVS5N70MJD2 , SVS60R190DD4TR , SVS60R190FD4 , SVS60R190FJDD4 , SVS60R190KD4 , SVS60R190L8AD4TR , SVS60R190SD4 , SVS60R190SD4TR , BS170 , SVS60R360DE3TR , SVS60R360FJDE3 , SVS60R360FJHE3 , SVS60R360L8AE3TR , SVS65R240DD4TR , SVS65R240FD4 , SVS65R240FJDD4 , SVS65R240L8AD4TR .

History: NCE30P06J | HFP3N80 | SWP035R10E6S | BUK7Y9R9-80E | HFP2N90 | TSM2NB60CI | KI5404BDC

 

 
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