SVS65R380DD4TR Todos los transistores

 

SVS65R380DD4TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVS65R380DD4TR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SVS65R380DD4TR Datasheet (PDF)

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SVS65R380DD4TR

SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4 11A, 650V MOS 2SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4 N MOSFET MOS 1 SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4

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SVS65R380DD4TR

SVS65R280FJD(F)(D)(T)(S)D4 14A, 650V MOS 2SVS65R280FJD(F)(D)(T)(S)D4 N MOSFET MOS 1 123SVS65R280FJD(F)(D)(T)(S)D4

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SVS65R380DD4TR

SVS65R240FJD(F)(D)(L8A)(T)D4 20A, 650V MOS 2 SVS65R240FJD(F)(D)(L8A)(T)D4 N 1MOSFET MOS 123TO-220FJD-3L 3SVS65R240FJD(F)

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 svs65r400de3tr svs65r400fjhe3 svs65r400fjde3 svs65r400l8ae3tr.pdf pdf_icon

SVS65R380DD4TR

SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3 11A, 650V MOS 2SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3 N MOSFET MOS 1 SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3

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History: HM3207B | APM2309AC | STU70N2LH5 | CHM5506JGP | FTK10N65P | PMCXB900UE | RSS090P03FU6TB

 

 
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