SVS7N65DTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVS7N65DTR
Código: SVS7N65D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 48 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 16 nC
Tiempo de subida (tr): 28 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 30 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.66 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVS7N65DTR
SVS7N65DTR Datasheet (PDF)
svs7n65f svs7n65d svs7n65dtr svs7n65mj.pdf
SVS7N65F/D/MJ 7A, 650V MOS 2SVS7N65F/D/MJ N MOSFET MOS 1 3 1SVS7N65F / 3
svs7n65dd2tr svs7n65fd2 svs7n65mjd2 svs7n65fjd2 svs7n65sd2 svs7n65sd2tr.pdf
SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)(S)D2 7A, 650V MOS 2 SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)(S)D2 N MOSFET 1213 MOS TO-220F-3L 3SVS7N65D(F)(MJ)(
svs7n60fjd2 svs7n60dd2tr svs7n60fd2.pdf
SVS7N60F(FJ)(D)D2 7A, 600V DP MOS SVS7N60F(FJ)(D)D2 N MOSFET DP MOS SVS7N60F(FJ)(D)D2 / 7A,600
svs7n70d.pdf
SVS7N70D 7A, 700V DP MOS SVS7N70D N MOSFET DP MOS SVS7N70D / 7A,700V, RDS(on)( )=0.52@VGS=10V
svs7n70fd2 svs7n70dd2tr svs7n70mjd2 svs7n70sd2.pdf
SVS7N70F(D)(MJ)(S)D2 7A, 700V MOS 2 SVS7N70F(D)(MJ)(S)D2 N MOSFET 1 MOS 31. 2. 3.SVS7N70F(D)(MJ)(S
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