SVS7N65DTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVS7N65DTR
Código: SVS7N65D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.66 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVS7N65DTR
SVS7N65DTR Datasheet (PDF)
svs7n65f svs7n65d svs7n65dtr svs7n65mj.pdf
SVS7N65F/D/MJ 7A, 650V MOS 2SVS7N65F/D/MJ N MOSFET MOS 1 3 1SVS7N65F / 3
svs7n65dd2tr svs7n65fd2 svs7n65mjd2 svs7n65fjd2 svs7n65sd2 svs7n65sd2tr.pdf
SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)(S)D2 7A, 650V MOS 2 SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)(S)D2 N MOSFET 1213 MOS TO-220F-3L 3SVS7N65D(F)(MJ)(
svs7n60fjd2 svs7n60dd2tr svs7n60fd2.pdf
SVS7N60F(FJ)(D)D2 7A, 600V DP MOS SVS7N60F(FJ)(D)D2 N MOSFET DP MOS SVS7N60F(FJ)(D)D2 / 7A,600
svs7n70d.pdf
SVS7N70D 7A, 700V DP MOS SVS7N70D N MOSFET DP MOS SVS7N70D / 7A,700V, RDS(on)( )=0.52@VGS=10V
svs7n70fd2 svs7n70dd2tr svs7n70mjd2 svs7n70sd2.pdf
SVS7N70F(D)(MJ)(S)D2 7A, 700V MOS 2 SVS7N70F(D)(MJ)(S)D2 N MOSFET 1 MOS 31. 2. 3.SVS7N70F(D)(MJ)(S
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History: SIR172DP
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