SVS7N65FJD2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVS7N65FJD2 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.64 Ohm

Encapsulados: TO220F

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SVS7N65FJD2 datasheet

SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)(S)D2 7A, 650V MOS 2 SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)(S)D2 N MOSFET 1 2 1 3 MOS TO-220F-3L 3 SVS7N65D(F)(MJ)(

SVS7N65F/D/MJ 7A, 650V MOS 2 SVS7N65F/D/MJ N MOSFET MOS 1 3 1 SVS7N65F / 3

8.1. Size:638K silan
svs7n60fjd2 svs7n60dd2tr svs7n60fd2.pdf pdf_icon

SVS7N60F(FJ)(D)D2 7A, 600V DP MOS SVS7N60F(FJ)(D)D2 N MOSFET DP MOS SVS7N60F(FJ)(D)D2 / 7A,600

9.1. Size:403K silan
svs7n70d.pdf pdf_icon

SVS7N70D 7A, 700V DP MOS SVS7N70D N MOSFET DP MOS SVS7N70D / 7A,700V, RDS(on)( )=0.52 @VGS=10V