Справочник MOSFET. SVS7N65FJD2

 

SVS7N65FJD2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVS7N65FJD2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.64 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVS7N65FJD2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:393K  silan
svs7n65dd2tr svs7n65fd2 svs7n65mjd2 svs7n65fjd2 svs7n65sd2 svs7n65sd2tr.pdfpdf_icon

SVS7N65FJD2

SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)(S)D2 7A, 650V MOS 2 SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)(S)D2 N MOSFET 1213 MOS TO-220F-3L 3SVS7N65D(F)(MJ)(

 6.1. Size:393K  silan
svs7n65f svs7n65d svs7n65dtr svs7n65mj.pdfpdf_icon

SVS7N65FJD2

SVS7N65F/D/MJ 7A, 650V MOS 2SVS7N65F/D/MJ N MOSFET MOS 1 3 1SVS7N65F / 3

 8.1. Size:638K  silan
svs7n60fjd2 svs7n60dd2tr svs7n60fd2.pdfpdf_icon

SVS7N65FJD2

SVS7N60F(FJ)(D)D2 7A, 600V DP MOS SVS7N60F(FJ)(D)D2 N MOSFET DP MOS SVS7N60F(FJ)(D)D2 / 7A,600

 9.1. Size:403K  silan
svs7n70d.pdfpdf_icon

SVS7N65FJD2

SVS7N70D 7A, 700V DP MOS SVS7N70D N MOSFET DP MOS SVS7N70D / 7A,700V, RDS(on)( )=0.52@VGS=10V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: TK20C60W | VSE002N03MS-G | SE2300 | 2SK3430-ZJ | TK150F04K3L | S-LNTK2575LT1G | R6535KNZ1

 

 
Back to Top

 


 
.