SVS7N65MJD2 Todos los transistores

 

SVS7N65MJD2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVS7N65MJD2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.64 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

SVS7N65MJD2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:393K  silan
 svs7n65dd2tr svs7n65fd2 svs7n65mjd2 svs7n65fjd2 svs7n65sd2 svs7n65sd2tr.pdf pdf_icon

SVS7N65MJD2

SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)(S)D2 7A, 650V MOS 2 SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)(S)D2 N MOSFET 1213 MOS TO-220F-3L 3SVS7N65D(F)(MJ)(

 5.1. Size:393K  silan
 svs7n65f svs7n65d svs7n65dtr svs7n65mj.pdf pdf_icon

SVS7N65MJD2

SVS7N65F/D/MJ 7A, 650V MOS 2SVS7N65F/D/MJ N MOSFET MOS 1 3 1SVS7N65F / 3

 8.1. Size:638K  silan
 svs7n60fjd2 svs7n60dd2tr svs7n60fd2.pdf pdf_icon

SVS7N65MJD2

SVS7N60F(FJ)(D)D2 7A, 600V DP MOS SVS7N60F(FJ)(D)D2 N MOSFET DP MOS SVS7N60F(FJ)(D)D2 / 7A,600

 9.1. Size:403K  silan
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SVS7N65MJD2

SVS7N70D 7A, 700V DP MOS SVS7N70D N MOSFET DP MOS SVS7N70D / 7A,700V, RDS(on)( )=0.52@VGS=10V

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History: FTK5N80DD | CSD85312Q3E | BUK7616-55A | AP98T03GP-HF

 

 
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