Справочник MOSFET. SVS7N65MJD2

 

SVS7N65MJD2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVS7N65MJD2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.64 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVS7N65MJD2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:393K  silan
 svs7n65dd2tr svs7n65fd2 svs7n65mjd2 svs7n65fjd2 svs7n65sd2 svs7n65sd2tr.pdf pdf_icon

SVS7N65MJD2

SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)(S)D2 7A, 650V MOS 2 SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)(S)D2 N MOSFET 1213 MOS TO-220F-3L 3SVS7N65D(F)(MJ)(

 5.1. Size:393K  silan
 svs7n65f svs7n65d svs7n65dtr svs7n65mj.pdf pdf_icon

SVS7N65MJD2

SVS7N65F/D/MJ 7A, 650V MOS 2SVS7N65F/D/MJ N MOSFET MOS 1 3 1SVS7N65F / 3

 8.1. Size:638K  silan
 svs7n60fjd2 svs7n60dd2tr svs7n60fd2.pdf pdf_icon

SVS7N65MJD2

SVS7N60F(FJ)(D)D2 7A, 600V DP MOS SVS7N60F(FJ)(D)D2 N MOSFET DP MOS SVS7N60F(FJ)(D)D2 / 7A,600

 9.1. Size:403K  silan
 svs7n70d.pdf pdf_icon

SVS7N65MJD2

SVS7N70D 7A, 700V DP MOS SVS7N70D N MOSFET DP MOS SVS7N70D / 7A,700V, RDS(on)( )=0.52@VGS=10V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: STL7N6LF3 | SPD50N06S2-14 | TMPF13N50A | 2SK2702 | APT901RBN | LSG80R680GT | SFI9634

 

 
Back to Top

 


 
.