SVS7N65MJD2 datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVS7N65MJD2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVS7N65MJD2 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.64 Ohm

Тип корпуса: TO251

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVS7N65MJD2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)(S)D2 7A, 650V MOS 2 SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)(S)D2 N MOSFET 1 2 1 3 MOS TO-220F-3L 3 SVS7N65D(F)(MJ)(

5.1. Size:393K silan
svs7n65f svs7n65d svs7n65dtr svs7n65mj.pdf pdf_icon

SVS7N65F/D/MJ 7A, 650V MOS 2 SVS7N65F/D/MJ N MOSFET MOS 1 3 1 SVS7N65F / 3

8.1. Size:638K silan
svs7n60fjd2 svs7n60dd2tr svs7n60fd2.pdf pdf_icon

SVS7N60F(FJ)(D)D2 7A, 600V DP MOS SVS7N60F(FJ)(D)D2 N MOSFET DP MOS SVS7N60F(FJ)(D)D2 / 7A,600

9.1. Size:403K silan
svs7n70d.pdf pdf_icon

SVS7N70D 7A, 700V DP MOS SVS7N70D N MOSFET DP MOS SVS7N70D / 7A,700V, RDS(on)( )=0.52 @VGS=10V