SVS80R430DE3TR Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVS80R430DE3TR  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.43 Ohm

Encapsulados: TO252

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SVS80R430DE3TR datasheet

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SVS80R430DE3TR

SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 12A 800V MOS 2 SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 N 1 MOSFET MOS 1 2 3 TO-220FJH-3L SVS80R430F(F

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SVS80R430DE3TR

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