Справочник MOSFET. SVS80R430DE3TR

 

SVS80R430DE3TR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVS80R430DE3TR
   Маркировка: 80R43DE3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
   trⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.43 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SVS80R430DE3TR

 

 

SVS80R430DE3TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:673K  silan
 svs80r430fe3 svs80r430fjhe3 svs80r430de3tr svs80r430fjde3 svs80r430l8ae3tr.pdf

SVS80R430DE3TR SVS80R430DE3TR

SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 12A800V MOS 2SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 N 1MOSFET MOS 1 23TO-220FJH-3L SVS80R430F(F

 8.1. Size:558K  silan
 svs80r800fjhe3 svs80r800de3tr svs80r800fe3.pdf

SVS80R430DE3TR SVS80R430DE3TR

SVS80R800FJH(D)(F)E3 7A, 800V MOS 2SVS80R800FJH(D)(F)E3 N MOSFET MOS 1 SVS80R800FJH(D)(F)E3 /

 8.2. Size:522K  silan
 svs80r900fe3 svs80r900de3tr svs80r900fjde3.pdf

SVS80R430DE3TR SVS80R430DE3TR

SVS80R900F(D)(FJD)E3 6A800V MOS 2SVS80R900F(D)(FJD)E3 N MOSFET MOS 1 SVS80R900F(D)(FJD)E3 /

 8.3. Size:505K  silan
 svs80r280fe3 svs80r280fjde3 svs80r280se3 svs80r280se3tr svs80r280p7e3.pdf

SVS80R430DE3TR SVS80R430DE3TR

SVS80R280F(FJD)(S)(P7)E3 17A800V MOS 2SVS80R280F(FJD)(S)(P7)E3 N MOSFET1 MOS 3TO-247-3LSVS80R280F(FJD)(S)(P7)E3

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top