SVS80R800DE3TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVS80R800DE3TR
Código: 80R80DE3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 89 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 18 nC
Tiempo de subida (tr): 23 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 25 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVS80R800DE3TR
SVS80R800DE3TR Datasheet (PDF)
svs80r800fjhe3 svs80r800de3tr svs80r800fe3.pdf
SVS80R800FJH(D)(F)E3 7A, 800V MOS 2SVS80R800FJH(D)(F)E3 N MOSFET MOS 1 SVS80R800FJH(D)(F)E3 /
svs80r900fe3 svs80r900de3tr svs80r900fjde3.pdf
SVS80R900F(D)(FJD)E3 6A800V MOS 2SVS80R900F(D)(FJD)E3 N MOSFET MOS 1 SVS80R900F(D)(FJD)E3 /
svs80r280fe3 svs80r280fjde3 svs80r280se3 svs80r280se3tr svs80r280p7e3.pdf
SVS80R280F(FJD)(S)(P7)E3 17A800V MOS 2SVS80R280F(FJD)(S)(P7)E3 N MOSFET1 MOS 3TO-247-3LSVS80R280F(FJD)(S)(P7)E3
svs80r430fe3 svs80r430fjhe3 svs80r430de3tr svs80r430fjde3 svs80r430l8ae3tr.pdf
SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 12A800V MOS 2SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 N 1MOSFET MOS 1 23TO-220FJH-3L SVS80R430F(F
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