Справочник MOSFET. SVS80R800DE3TR

 

SVS80R800DE3TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVS80R800DE3TR
   Маркировка: 80R80DE3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVS80R800DE3TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:558K  silan
 svs80r800fjhe3 svs80r800de3tr svs80r800fe3.pdf pdf_icon

SVS80R800DE3TR

SVS80R800FJH(D)(F)E3 7A, 800V MOS 2SVS80R800FJH(D)(F)E3 N MOSFET MOS 1 SVS80R800FJH(D)(F)E3 /

 8.1. Size:522K  silan
 svs80r900fe3 svs80r900de3tr svs80r900fjde3.pdf pdf_icon

SVS80R800DE3TR

SVS80R900F(D)(FJD)E3 6A800V MOS 2SVS80R900F(D)(FJD)E3 N MOSFET MOS 1 SVS80R900F(D)(FJD)E3 /

 8.2. Size:505K  silan
 svs80r280fe3 svs80r280fjde3 svs80r280se3 svs80r280se3tr svs80r280p7e3.pdf pdf_icon

SVS80R800DE3TR

SVS80R280F(FJD)(S)(P7)E3 17A800V MOS 2SVS80R280F(FJD)(S)(P7)E3 N MOSFET1 MOS 3TO-247-3LSVS80R280F(FJD)(S)(P7)E3

 8.3. Size:673K  silan
 svs80r430fe3 svs80r430fjhe3 svs80r430de3tr svs80r430fjde3 svs80r430l8ae3tr.pdf pdf_icon

SVS80R800DE3TR

SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 12A800V MOS 2SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 N 1MOSFET MOS 1 23TO-220FJH-3L SVS80R430F(F

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.