SVSP11N60DD2TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVSP11N60DD2TR
Código: P11N60D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 89 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 11 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 22 nC
Tiempo de subida (tr): 29 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 38 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.36 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVSP11N60DD2TR
SVSP11N60DD2TR Datasheet (PDF)
svsp11n60fjd2 svsp11n60dd2tr.pdf
SVSP11N60FJ(D)D2 11A, 600V DP MOS 2SVSP11N60FJ(D)D2 N MOSFET DP MOS 1 3 SVSP11N60FJ(D)D2 /
svsp11n60dd2tr svsp11n60fd2 svsp11n60sd2 svsp11n60sd2tr svsp11n60fjdd2 svsp11n60td2 svsp11n60kd2.pdf
SVSP11N60D(F)(S)(FJD)(T)(K)D2 11A, 600V MOS 2SVSP11N60D(F)(S)(FJD)(T)(K)D2 N 131MOSFET MOS TO-263-2L31 31. 2. 3.
svsp11n65dd2tra svsp11n65fd2 svsp11n65sd2 svsp11n65sd2tr svsp11n65fjdd2 svsp11n65kd2 svsp11n65td2.pdf
SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 11A, 650V MOS 2 1SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 N MOSFET31TO-263-2L MOS 3 1. 2. 3.S
svsp11n65afjhd2.pdf
SVSP11N65AFJHD2 11A650V MOS 2 SVSP11N65AFJHD2 N MOSFET 1 MOS 3 SVSP11N65AFJHD2 /
svsp11n65fjhd2.pdf
SVSP11N65FJHD2 11A, 650V MOS 2 SVSP11N65FJHD2 N MOSFET 1 MOS 3SVSP11N65FJHD2 /1.
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