SVSP11N60FJD2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVSP11N60FJD2  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 22 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm

Encapsulados: TO220F

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SVSP11N60FJD2 datasheet

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SVSP11N60FJD2

SVSP11N60FJ(D)D2 11A, 600V DP MOS 2 SVSP11N60FJ(D)D2 N MOSFET DP MOS 1 3 SVSP11N60FJ(D)D2 /

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SVSP11N60FJD2

SVSP11N60D(F)(S)(FJD)(T)(K)D2 11A, 600V MOS 2 SVSP11N60D(F)(S)(FJD)(T)(K)D2 N 1 3 1 MOSFET MOS TO-263-2L 3 1 3 1. 2. 3.

 6.1. Size:480K  silan
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SVSP11N60FJD2

SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 11A, 650V MOS 2 1 SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 N MOSFET 3 1 TO-263-2L MOS 3 1. 2. 3. S

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SVSP11N60FJD2

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