SVSP11N65DD2TRA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVSP11N65DD2TRA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 87 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SVSP11N65DD2TRA MOSFET
SVSP11N65DD2TRA Datasheet (PDF)
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History: SST202 | NCE85H21TC | STD5NK50Z | UT8205AL-S08-R
History: SST202 | NCE85H21TC | STD5NK50Z | UT8205AL-S08-R
Liste
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