SVSP11N65DD2TRA - аналоги и даташиты транзистора

 

SVSP11N65DD2TRA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SVSP11N65DD2TRA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 87 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SVSP11N65DD2TRA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVSP11N65DD2TRA Datasheet (PDF)

 0.1. Size:480K  silan
 svsp11n65dd2tra svsp11n65fd2 svsp11n65sd2 svsp11n65sd2tr svsp11n65fjdd2 svsp11n65kd2 svsp11n65td2.pdf pdf_icon

SVSP11N65DD2TRA

SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 11A, 650V MOS 2 1SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 N MOSFET31TO-263-2L MOS 3 1. 2. 3.S

 5.1. Size:320K  silan
 svsp11n65afjhd2.pdf pdf_icon

SVSP11N65DD2TRA

SVSP11N65AFJHD2 11A650V MOS 2 SVSP11N65AFJHD2 N MOSFET 1 MOS 3 SVSP11N65AFJHD2 /

 5.2. Size:319K  silan
 svsp11n65fjhd2.pdf pdf_icon

SVSP11N65DD2TRA

SVSP11N65FJHD2 11A, 650V MOS 2 SVSP11N65FJHD2 N MOSFET 1 MOS 3SVSP11N65FJHD2 /1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVSP11N60FD2 , SVSP11N60FJD2 , SVSP11N60FJDD2 , SVSP11N60KD2 , SVSP11N60SD2 , SVSP11N60SD2TR , SVSP11N60TD2 , SVSP11N65AFJHD2 , IRFZ46N , SVSP11N65FD2 , SVSP11N65FJDD2 , SVSP11N65FJHD2 , SVSP11N65KD2 , SVSP11N65SD2 , SVSP11N65SD2TR , SVSP11N65TD2 , SVSP11N70DD2TR .

History: RFP14N06 | RFP15N06L | NCEAP026N10T | SSF4414 | NCEAP15T14 | 2SK3494 | SFF75N10N

 

 
Back to Top

 


 
.