SVSP11N65DD2TRA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVSP11N65DD2TRA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 87 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVSP11N65DD2TRA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVSP11N65DD2TRA даташит

 0.1. Size:480K  silan
 svsp11n65dd2tra svsp11n65fd2 svsp11n65sd2 svsp11n65sd2tr svsp11n65fjdd2 svsp11n65kd2 svsp11n65td2.pdf pdf_icon

SVSP11N65DD2TRA

SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 11A, 650V MOS 2 1 SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 N MOSFET 3 1 TO-263-2L MOS 3 1. 2. 3. S

 5.1. Size:320K  silan
 svsp11n65afjhd2.pdf pdf_icon

SVSP11N65DD2TRA

 5.2. Size:319K  silan
 svsp11n65fjhd2.pdf pdf_icon

SVSP11N65DD2TRA

SVSP11N65FJHD2 11A, 650V MOS 2 SVSP11N65FJHD2 N MOSFET 1 MOS 3 SVSP11N65FJHD2 / 1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVSP11N60FD2, SVSP11N60FJD2, SVSP11N60FJDD2, SVSP11N60KD2, SVSP11N60SD2, SVSP11N60SD2TR, SVSP11N60TD2, SVSP11N65AFJHD2, IRFZ46N, SVSP11N65FD2, SVSP11N65FJDD2, SVSP11N65FJHD2, SVSP11N65KD2, SVSP11N65SD2, SVSP11N65SD2TR, SVSP11N65TD2, SVSP11N70DD2TR