STM301N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STM301N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
Encapsulados: SOP8
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STM301N datasheet
stm301n.pdf
Green Product STM301N a S mHop Microelectronics C orp. Ver1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 48 @ VGS=10V Suface Mount Package. 100V 5.2A 56 @ VGS=4.5V S O-8 1 C (TA=25 unless otherwise noted) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter
Otros transistores... STM4432 , FDP2710 , FDP2710F085 , FDP33N25 , FDP3651U , STM4410A , FDP3672 , FDP3682 , 4435 , FDP42AN15A0 , FDP51N25 , FDP52N20 , STM201N , FDP5500F085 , FDP55N06 , FDP5800 , FDP5N50NZ .
History: CMD50P03 | DMG10N60SCT
History: CMD50P03 | DMG10N60SCT
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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