Справочник MOSFET. STM301N

 

STM301N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STM301N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для STM301N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STM301N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  samhop
 stm301n.pdf pdf_icon

STM301N

GreenProduct STM301NaS mHop Microelectronics C orp.Ver1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.48 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 5.2A56 @ VGS=4.5VS O-81C(TA=25 unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SM3319NAQG | MTN4N65FP

 

 
Back to Top

 


 
.