SVSP11N65TD2 Todos los transistores

 

SVSP11N65TD2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVSP11N65TD2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 92 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

SVSP11N65TD2 Datasheet (PDF)

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SVSP11N65TD2

SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 11A, 650V MOS 2 1SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 N MOSFET31TO-263-2L MOS 3 1. 2. 3.S

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SVSP11N65TD2

SVSP11N65AFJHD2 11A650V MOS 2 SVSP11N65AFJHD2 N MOSFET 1 MOS 3 SVSP11N65AFJHD2 /

 5.2. Size:319K  silan
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SVSP11N65TD2

SVSP11N65FJHD2 11A, 650V MOS 2 SVSP11N65FJHD2 N MOSFET 1 MOS 3SVSP11N65FJHD2 /1.

 6.1. Size:394K  silan
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SVSP11N65TD2

SVSP11N60FJ(D)D2 11A, 600V DP MOS 2SVSP11N60FJ(D)D2 N MOSFET DP MOS 1 3 SVSP11N60FJ(D)D2 /

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History: HUFA76423S3S | 2SJ542 | DMN4010LFG | AP9962AGM-HF | AP4438GSM-HF | FQPF5N60 | IRFS330

 

 
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