SVSP14N60FJDD2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVSP14N60FJDD2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de SVSP14N60FJDD2 MOSFET
SVSP14N60FJDD2 Datasheet (PDF)
svsp14n60td2 svsp14n60fjdd2 svsp14n60fd2.pdf
SVSP14N60F(FJD)(T)D2 14A, 600V MOS 2 SVSP14N60F(FJD)(T)D2 N MOSFET 1 MOS 31. 2. 3.SVSP14N60F(FJD)(T)D2
svsp14n65fjhe2.pdf
SVSP14N65FJHE2 14A, 650V MOS 2SVSP14N65FJHE2 N MOSFET MOS 1 3SVSP14N65FJHE2 /
svsp14n65fjdd2 svsp14n65td2 svsp14n65kd2.pdf
SVSP14N65FJD (T)KD2 14A, 650V MOS 2SVSP14N65FJD/T/KD2 N MOSFET 1 MOS 123 3TO-262-3LSVSP14N65FJD/T/KD2
svsp14n65afjhe2.pdf
SVSP14N65AFJHE2 14A, 650V MOS 2SVSP14N65AFJHE2 N MOSFET MOS 1 3 SVSP14N65AFJHE2 /
Otros transistores... SVSP11N65SD2TR , SVSP11N65TD2 , SVSP11N70DD2TR , SVSP11N70FD2 , SVSP11N70FJHD2 , SVSP11N70MJD2 , SVSP11N70SD2 , SVSP14N60FD2 , IRFP064N , SVSP14N60TD2 , SVSP14N65AFJHE2 , SVSP14N65FJDD2 , SVSP14N65FJHE2 , SVSP14N65KD2 , SVSP14N65TD2 , SVSP20N60FJDD2 , SVSP20N60KD2 .
History: HGP068N15S | ELM17408GA
History: HGP068N15S | ELM17408GA
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945