SVSP14N60FJDD2 - описание и поиск аналогов

SVSP14N60FJDD2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVSP14N60FJDD2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO220F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам