Справочник MOSFET. SVSP14N60FJDD2

 

SVSP14N60FJDD2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVSP14N60FJDD2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 52 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVSP14N60FJDD2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  silan
svsp14n60td2 svsp14n60fjdd2 svsp14n60fd2.pdfpdf_icon

SVSP14N60FJDD2

SVSP14N60F(FJD)(T)D2 14A, 600V MOS 2 SVSP14N60F(FJD)(T)D2 N MOSFET 1 MOS 31. 2. 3.SVSP14N60F(FJD)(T)D2

 6.1. Size:318K  silan
svsp14n65fjhe2.pdfpdf_icon

SVSP14N60FJDD2

SVSP14N65FJHE2 14A, 650V MOS 2SVSP14N65FJHE2 N MOSFET MOS 1 3SVSP14N65FJHE2 /

 6.2. Size:376K  silan
svsp14n65fjdd2 svsp14n65td2 svsp14n65kd2.pdfpdf_icon

SVSP14N60FJDD2

SVSP14N65FJD (T)KD2 14A, 650V MOS 2SVSP14N65FJD/T/KD2 N MOSFET 1 MOS 123 3TO-262-3LSVSP14N65FJD/T/KD2

 6.3. Size:345K  silan
svsp14n65afjhe2.pdfpdf_icon

SVSP14N60FJDD2

SVSP14N65AFJHE2 14A, 650V MOS 2SVSP14N65AFJHE2 N MOSFET MOS 1 3 SVSP14N65AFJHE2 /

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: TK8A65D | PNMET20V06E | IXFX30N110P | FDC654P | 2SK1501 | DCCF080M120A2 | OSG55R074HSZF

 

 
Back to Top

 


 
.