SVSP14N60TD2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVSP14N60TD2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de SVSP14N60TD2 MOSFET
SVSP14N60TD2 Datasheet (PDF)
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svsp14n65fjhe2.pdf
SVSP14N65FJHE2 14A, 650V MOS 2SVSP14N65FJHE2 N MOSFET MOS 1 3SVSP14N65FJHE2 /
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Otros transistores... SVSP11N65TD2 , SVSP11N70DD2TR , SVSP11N70FD2 , SVSP11N70FJHD2 , SVSP11N70MJD2 , SVSP11N70SD2 , SVSP14N60FD2 , SVSP14N60FJDD2 , BS170 , SVSP14N65AFJHE2 , SVSP14N65FJDD2 , SVSP14N65FJHE2 , SVSP14N65KD2 , SVSP14N65TD2 , SVSP20N60FJDD2 , SVSP20N60KD2 , SVSP20N60P7D2 .
History: HGN035N10AL | STD7N80K5
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