Справочник MOSFET. SVSP14N60TD2

 

SVSP14N60TD2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVSP14N60TD2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SVSP14N60TD2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVSP14N60TD2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  silan
 svsp14n60td2 svsp14n60fjdd2 svsp14n60fd2.pdf pdf_icon

SVSP14N60TD2

SVSP14N60F(FJD)(T)D2 14A, 600V MOS 2 SVSP14N60F(FJD)(T)D2 N MOSFET 1 MOS 31. 2. 3.SVSP14N60F(FJD)(T)D2

 6.1. Size:318K  silan
 svsp14n65fjhe2.pdf pdf_icon

SVSP14N60TD2

SVSP14N65FJHE2 14A, 650V MOS 2SVSP14N65FJHE2 N MOSFET MOS 1 3SVSP14N65FJHE2 /

 6.2. Size:376K  silan
 svsp14n65fjdd2 svsp14n65td2 svsp14n65kd2.pdf pdf_icon

SVSP14N60TD2

SVSP14N65FJD (T)KD2 14A, 650V MOS 2SVSP14N65FJD/T/KD2 N MOSFET 1 MOS 123 3TO-262-3LSVSP14N65FJD/T/KD2

 6.3. Size:345K  silan
 svsp14n65afjhe2.pdf pdf_icon

SVSP14N60TD2

SVSP14N65AFJHE2 14A, 650V MOS 2SVSP14N65AFJHE2 N MOSFET MOS 1 3 SVSP14N65AFJHE2 /

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVSP11N65TD2 , SVSP11N70DD2TR , SVSP11N70FD2 , SVSP11N70FJHD2 , SVSP11N70MJD2 , SVSP11N70SD2 , SVSP14N60FD2 , SVSP14N60FJDD2 , BS170 , SVSP14N65AFJHE2 , SVSP14N65FJDD2 , SVSP14N65FJHE2 , SVSP14N65KD2 , SVSP14N65TD2 , SVSP20N60FJDD2 , SVSP20N60KD2 , SVSP20N60P7D2 .

History: IXZ2210N50L | UT60T03 | IPS80R750P7 | RTF010P02 | LSB60R030HT | RJK0659DPA | CHM9936AJGP

 

 
Back to Top

 


 
.