Справочник MOSFET. SVSP14N60TD2

 

SVSP14N60TD2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVSP14N60TD2
   Маркировка: P14N60TD2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 26 nC
   Время нарастания (tr): 52 ns
   Выходная емкость (Cd): 48 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SVSP14N60TD2

 

 

SVSP14N60TD2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  silan
svsp14n60td2 svsp14n60fjdd2 svsp14n60fd2.pdf

SVSP14N60TD2
SVSP14N60TD2

SVSP14N60F(FJD)(T)D2 14A, 600V MOS 2 SVSP14N60F(FJD)(T)D2 N MOSFET 1 MOS 31. 2. 3.SVSP14N60F(FJD)(T)D2

 6.1. Size:318K  silan
svsp14n65fjhe2.pdf

SVSP14N60TD2
SVSP14N60TD2

SVSP14N65FJHE2 14A, 650V MOS 2SVSP14N65FJHE2 N MOSFET MOS 1 3SVSP14N65FJHE2 /

 6.2. Size:376K  silan
svsp14n65fjdd2 svsp14n65td2 svsp14n65kd2.pdf

SVSP14N60TD2
SVSP14N60TD2

SVSP14N65FJD (T)KD2 14A, 650V MOS 2SVSP14N65FJD/T/KD2 N MOSFET 1 MOS 123 3TO-262-3LSVSP14N65FJD/T/KD2

 6.3. Size:345K  silan
svsp14n65afjhe2.pdf

SVSP14N60TD2
SVSP14N60TD2

SVSP14N65AFJHE2 14A, 650V MOS 2SVSP14N65AFJHE2 N MOSFET MOS 1 3 SVSP14N65AFJHE2 /

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top