FDP42AN15A0 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDP42AN15A0
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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FDP42AN15A0 Datasheet (PDF)

..1. Size:258K fairchild semi
fdp42an15a0 fdb42an15a0.pdf

September 2002FDP42AN15A0 / FDB42AN15A0 N-Channel PowerTrench MOSFET150V, 35A, 42mFeatures Applications rDS(ON) = 36m (Typ.), VGS = 10V, ID = 12A DC/DC Converters and Off-line UPS Qg(tot) = 33nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low Qrr Body Diode High Voltage Sy

..2. Size:693K onsemi
fdp42an15a0.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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