FDP42AN15A0 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDP42AN15A0

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FDP42AN15A0

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP42AN15A0 даташит

 ..1. Size:258K  fairchild semi
 fdp42an15a0 fdb42an15a0.pdf pdf_icon

FDP42AN15A0

September 2002 FDP42AN15A0 / FDB42AN15A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 35A, 42m Features Applications rDS(ON) = 36m (Typ.), VGS = 10V, ID = 12A DC/DC Converters and Off-line UPS Qg(tot) = 33nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low Qrr Body Diode High Voltage Sy

 ..2. Size:693K  onsemi
 fdp42an15a0.pdf pdf_icon

FDP42AN15A0

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... FDP2710, FDP2710F085, FDP33N25, FDP3651U, STM4410A, FDP3672, FDP3682, STM301N, SPP20N60C3, FDP51N25, FDP52N20, STM201N, FDP5500F085, FDP55N06, FDP5800, FDP5N50NZ, FDP5N60NZ