SVSP14N65AFJHE2 Todos los transistores

 

SVSP14N65AFJHE2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVSP14N65AFJHE2
   Código: P14N65FJHE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 39 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 14 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 19 nC
   Tiempo de subida (tr): 37 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 46 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.31 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

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SVSP14N65AFJHE2 Datasheet (PDF)

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SVSP14N65AFJHE2 14A, 650V MOS 2SVSP14N65AFJHE2 N MOSFET MOS 1 3 SVSP14N65AFJHE2 /

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SVSP14N65FJHE2 14A, 650V MOS 2SVSP14N65FJHE2 N MOSFET MOS 1 3SVSP14N65FJHE2 /

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SVSP14N65FJD (T)KD2 14A, 650V MOS 2SVSP14N65FJD/T/KD2 N MOSFET 1 MOS 123 3TO-262-3LSVSP14N65FJD/T/KD2

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