Справочник MOSFET. SVSP14N65AFJHE2

 

SVSP14N65AFJHE2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVSP14N65AFJHE2
   Маркировка: P14N65FJHE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   trⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SVSP14N65AFJHE2

 

 

SVSP14N65AFJHE2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:345K  silan
svsp14n65afjhe2.pdf

SVSP14N65AFJHE2
SVSP14N65AFJHE2

SVSP14N65AFJHE2 14A, 650V MOS 2SVSP14N65AFJHE2 N MOSFET MOS 1 3 SVSP14N65AFJHE2 /

 5.1. Size:318K  silan
svsp14n65fjhe2.pdf

SVSP14N65AFJHE2
SVSP14N65AFJHE2

SVSP14N65FJHE2 14A, 650V MOS 2SVSP14N65FJHE2 N MOSFET MOS 1 3SVSP14N65FJHE2 /

 5.2. Size:376K  silan
svsp14n65fjdd2 svsp14n65td2 svsp14n65kd2.pdf

SVSP14N65AFJHE2
SVSP14N65AFJHE2

SVSP14N65FJD (T)KD2 14A, 650V MOS 2SVSP14N65FJD/T/KD2 N MOSFET 1 MOS 123 3TO-262-3LSVSP14N65FJD/T/KD2

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top