SVSP14N65TD2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVSP14N65TD2
Código: P14N65TD2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVSP14N65TD2
SVSP14N65TD2 Datasheet (PDF)
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svsp14n65fjhe2.pdf
SVSP14N65FJHE2 14A, 650V MOS 2SVSP14N65FJHE2 N MOSFET MOS 1 3SVSP14N65FJHE2 /
svsp14n65afjhe2.pdf
SVSP14N65AFJHE2 14A, 650V MOS 2SVSP14N65AFJHE2 N MOSFET MOS 1 3 SVSP14N65AFJHE2 /
svsp14n60td2 svsp14n60fjdd2 svsp14n60fd2.pdf
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