SVSP20N60PND2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVSP20N60PND2
Código: P20N60PN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 200 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 39 nC
Tiempo de subida (tr): 60 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 67 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.19 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVSP20N60PND2
SVSP20N60PND2 Datasheet (PDF)
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SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 20A600V MOS 2 123SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 N 1TO-262-3LMOSFET MOS 3131. 2. 3.
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SVSP24N60FJD(T)D2 24A600V MOS 2SVSP24N60FJD(T)D2 N MOSFET 1 MOS 3. 1. 2. 3.SVSP24N60FJD(T)D2
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SVSP24NF60FJDD2 24A, 600V MOS 2SVSP24NF60FJDD2 N MOSFET MOS 1 3SVSP24NF60FJD2 /
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