SVSP20N60SD2 Todos los transistores

 

SVSP20N60SD2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVSP20N60SD2
   Código: P20N60SD2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 39 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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SVSP20N60SD2 Datasheet (PDF)

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SVSP20N60SD2

SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 20A600V MOS 2 123SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 N 1TO-262-3LMOSFET MOS 3131. 2. 3.

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SVSP20N60SD2

SVSP20NF60TD2 20A600V MOS 2SVSP20NF60TD2 N MOSFET MOS 1 3SVSP20NF60TD2 / 1.

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SVSP20N60SD2

SVSP24N60FJD(T)D2 24A600V MOS 2SVSP24N60FJD(T)D2 N MOSFET 1 MOS 3. 1. 2. 3.SVSP24N60FJD(T)D2

 9.2. Size:331K  silan
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SVSP20N60SD2

SVSP24NF60FJDD2 24A, 600V MOS 2SVSP24NF60FJDD2 N MOSFET MOS 1 3SVSP24NF60FJD2 /

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