SVSP60R033P7HD4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVSP60R033P7HD4
Código: P60R033P7
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 544 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 83 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 169 nC
Tiempo de subida (tr): 74 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 227 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.033 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVSP60R033P7HD4
SVSP60R033P7HD4 Datasheet (PDF)
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SVSP60R033P7HD4 83A, 600V MOS 2SVSP60R033P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP60R033P7HD4 /3
svsp60r090p7hd4 svsp60r090lhd4tr svsp60r090fjdhd4.pdf
SVSP60R090P7(L)(FJD)HD4 38A, 600V MOS 2 TabSVSP60R090P7(L)(FJD)HD4 N MOSFET1 pin1 MOS 3 Pin2-8SVSP60R090P7(L)(FJD)HD4
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SVSP65R050P7HD4 60A, 650V MOS 2SVSP65R050P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R050P7HD4 /
svsp65r110p7hd4 svsp65r110thd4 svsp65r110shd4 svsp65r110shd4tr svsp65r110fjdhd4 svsp65r110lhd4tr.pdf
SVSP65R110P7(T)(S)(FJD)(L)HD4 35A650V MOS Tab2SVSP65R110P7(T)(S)(FJD)(L)HD4 N 1 pin1MOSFET MOS 3 Pin2-8 Pin1. Tab. 1.
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SVSP65R080P7HD4 43A, 650V MOS 2SVSP65R080P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R080P7HD4 /
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SVSP65R041P7HD4 70A650V MOS 2SVSP65R041P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R041P7HD4 /
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