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SVSP60R033P7HD4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVSP60R033P7HD4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 544 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 83 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 74 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 227 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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SVSP60R033P7HD4 Datasheet (PDF)

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SVSP60R033P7HD4

SVSP60R033P7HD4 83A, 600V MOS 2SVSP60R033P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP60R033P7HD4 /3

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SVSP60R033P7HD4

SVSP60R090P7(L)(FJD)HD4 38A, 600V MOS 2 TabSVSP60R090P7(L)(FJD)HD4 N MOSFET1 pin1 MOS 3 Pin2-8SVSP60R090P7(L)(FJD)HD4

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SVSP60R033P7HD4

SVSP65R050P7HD4 60A, 650V MOS 2SVSP65R050P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R050P7HD4 /

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SVSP60R033P7HD4

SVSP65R110P7(T)(S)(FJD)(L)HD4 35A650V MOS Tab2SVSP65R110P7(T)(S)(FJD)(L)HD4 N 1 pin1MOSFET MOS 3 Pin2-8 Pin1. Tab. 1.

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History: FK7SM-12

 

 
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