SVSP65R041P7HD4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVSP65R041P7HD4
Código: P65R041P7
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 500 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 70 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 161 nC
Tiempo de subida (tr): 34 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 208 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.041 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVSP65R041P7HD4
SVSP65R041P7HD4 Datasheet (PDF)
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SVSP65R041P7HD4 70A650V MOS 2SVSP65R041P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R041P7HD4 /
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SVSP65R050P7HD4 60A, 650V MOS 2SVSP65R050P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R050P7HD4 /
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SVSP65R080P7HD4 43A, 650V MOS 2SVSP65R080P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R080P7HD4 /
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