SVSP65R041P7HD4 Todos los transistores

 

SVSP65R041P7HD4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVSP65R041P7HD4
   Código: P65R041P7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 500 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 70 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
   Carga de la puerta (Qg): 161 nC
   Tiempo de subida (tr): 34 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 208 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

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SVSP65R041P7HD4 Datasheet (PDF)

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SVSP65R041P7HD4 70A650V MOS 2SVSP65R041P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R041P7HD4 /

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SVSP65R050P7HD4 60A, 650V MOS 2SVSP65R050P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R050P7HD4 /

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SVSP65R041P7HD4 SVSP65R041P7HD4

SVSP65R080P7HD4 43A, 650V MOS 2SVSP65R080P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R080P7HD4 /

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