SVSP65R110SHD4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVSP65R110SHD4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 83 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Encapsulados: TO263
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SVSP65R110SHD4 datasheet
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SVSP65R110P7(T)(S)(FJD)(L)HD4 35A 650V MOS Tab 2 SVSP65R110P7(T)(S)(FJD)(L)HD4 N 1 pin1 MOSFET MOS 3 Pin2-8 Pin1. Tab. 1.
svsp65r050p7hd4.pdf
SVSP65R050P7HD4 60A, 650V MOS 2 SVSP65R050P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R050P7HD4 /
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SVSP65R080P7HD4 43A, 650V MOS 2 SVSP65R080P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R080P7HD4 /
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