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SVSP65R110THD4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVSP65R110THD4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 83 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: TO220

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SVSP65R110THD4 datasheet

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SVSP65R110THD4

SVSP65R110P7(T)(S)(FJD)(L)HD4 35A 650V MOS Tab 2 SVSP65R110P7(T)(S)(FJD)(L)HD4 N 1 pin1 MOSFET MOS 3 Pin2-8 Pin1. Tab. 1.

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SVSP65R110THD4

SVSP65R050P7HD4 60A, 650V MOS 2 SVSP65R050P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R050P7HD4 /

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SVSP65R110THD4

SVSP65R080P7HD4 43A, 650V MOS 2 SVSP65R080P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R080P7HD4 /

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SVSP65R110THD4

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History: BSZ042N06NS | BUK129-50DL | BSZ018NE2LS | BSZ110N06NS3G | BSZ440N10NS3G | MTP7N60 | AON6908

 

 

 

 

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