SVSP65R110THD4 Todos los transistores

 

SVSP65R110THD4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVSP65R110THD4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 83 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SVSP65R110THD4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:571K  silan
 svsp65r110p7hd4 svsp65r110thd4 svsp65r110shd4 svsp65r110shd4tr svsp65r110fjdhd4 svsp65r110lhd4tr.pdf pdf_icon

SVSP65R110THD4

SVSP65R110P7(T)(S)(FJD)(L)HD4 35A650V MOS Tab2SVSP65R110P7(T)(S)(FJD)(L)HD4 N 1 pin1MOSFET MOS 3 Pin2-8 Pin1. Tab. 1.

 7.1. Size:509K  silan
 svsp65r050p7hd4.pdf pdf_icon

SVSP65R110THD4

SVSP65R050P7HD4 60A, 650V MOS 2SVSP65R050P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R050P7HD4 /

 7.2. Size:489K  silan
 svsp65r080p7hd4.pdf pdf_icon

SVSP65R110THD4

SVSP65R080P7HD4 43A, 650V MOS 2SVSP65R080P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R080P7HD4 /

 7.3. Size:469K  silan
 svsp65r041p7hd4.pdf pdf_icon

SVSP65R110THD4

SVSP65R041P7HD4 70A650V MOS 2SVSP65R041P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R041P7HD4 /

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History: IRFI634A | APT6035AVR | SPB80N08S2L | FDA20N50F | ZVN4306GTC | APT6040BN

 

 
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