STM201N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STM201N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: SOP8

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STM201N datasheet

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STM201N

Green Product STM201N a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 110 @ VGS=10V Suface Mount Package. 100V 4A 170 @ VGS=4.5V S O-8 1 C (TA=25 unless otherwise noted) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Sym

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