STM201N Todos los transistores

 

STM201N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STM201N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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STM201N Datasheet (PDF)

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STM201N

GreenProductSTM201NaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDRugged and reliable.110 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 4A170 @ VGS=4.5VS O-81C(TA=25 unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSym

Otros transistores... FDP3651U , STM4410A , FDP3672 , FDP3682 , STM301N , FDP42AN15A0 , FDP51N25 , FDP52N20 , TK10A60D , FDP5500F085 , FDP55N06 , FDP5800 , FDP5N50NZ , FDP5N60NZ , STM122N , FDP61N20 , STM121N .

History: 2N6660JANTX | NTTFS4928N | IPP037N08N3GE8181 | 2N6789-SM | IRF634B | BF1100R | CM1N70

 

 
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