STM201N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STM201N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Общий заряд затвора (Qg): 7.8 nC
Выходная емкость (Cd): 47 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.14 Ohm
Тип корпуса: SOP8
STM201N Datasheet (PDF)
..1. Size:180K samhop
stm201n.pdf
stm201n.pdf
GreenProductSTM201NaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDRugged and reliable.110 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 4A170 @ VGS=4.5VS O-81C(TA=25 unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSym
Другие MOSFET... FDP3651U , STM4410A , FDP3672 , FDP3682 , STM301N , FDP42AN15A0 , FDP51N25 , FDP52N20 , AON7408 , FDP5500F085 , FDP55N06 , FDP5800 , FDP5N50NZ , FDP5N60NZ , STM122N , FDP61N20 , STM121N .
