STM201N - аналоги и даташиты транзистора

 

STM201N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STM201N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для STM201N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STM201N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  samhop
 stm201n.pdf pdf_icon

STM201N

GreenProductSTM201NaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDRugged and reliable.110 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 4A170 @ VGS=4.5VS O-81C(TA=25 unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSym

Другие MOSFET... FDP3651U , STM4410A , FDP3672 , FDP3682 , STM301N , FDP42AN15A0 , FDP51N25 , FDP52N20 , AO4407 , FDP5500F085 , FDP55N06 , FDP5800 , FDP5N50NZ , FDP5N60NZ , STM122N , FDP61N20 , STM121N .

History: SP8076E | RYU002N05 | RFL1N18 | S10H18RN | S10H06R | MDIB6N70CTH | 2SK3018W

 

 
Back to Top

 


 
.