SVSP80R180SE3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVSP80R180SE3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 103 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de SVSP80R180SE3 MOSFET
SVSP80R180SE3 Datasheet (PDF)
svsp80r180se3 svsp80r180se3tr svsp80r180fjde3 svsp80r180p7e3.pdf
SVSP80R180S(FJD)(P7)E3 24A, 800V MOS 2SVSP80R180S(FJD)(P7)E3 N MOSFET MOS 1 123 3SVSP80R180S(FJD)(P7)E3
Otros transistores... SVSP65R110THD4 , SVSP7N70DD2TR , SVSP7N70FD2 , SVSP7N70FJDD2 , SVSP7N70SD2 , SVSP7N70SD2TR , SVSP80R180FJDE3 , SVSP80R180P7E3 , SPP20N60C3 , SVSP80R180SE3TR , SVT03100ND , SVT03100NL3 , SVT03110PL3 , SVT03200PSA , SVT032R5ND , SVT03380PSA , SVT033R5NAT .
History: STM8455 | IXTP1N120P | FQN1N60C | AP09T10GK-HF | SM3319NAQG
History: STM8455 | IXTP1N120P | FQN1N60C | AP09T10GK-HF | SM3319NAQG
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
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