SVSP80R180SE3TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVSP80R180SE3TR
Código: P80R180SE3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 103 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVSP80R180SE3TR
SVSP80R180SE3TR Datasheet (PDF)
svsp80r180se3 svsp80r180se3tr svsp80r180fjde3 svsp80r180p7e3.pdf
SVSP80R180S(FJD)(P7)E3 24A, 800V MOS 2SVSP80R180S(FJD)(P7)E3 N MOSFET MOS 1 123 3SVSP80R180S(FJD)(P7)E3
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