SVT03100ND Todos los transistores

 

SVT03100ND MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVT03100ND
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SVT03100ND datasheet

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SVT03100ND

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SVT03100ND

SVT03100NL3 45A 30V N SVT03100NL3 N MOS S D 1 8 LVMOS S 7 D 2 D S 3 6

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SVT03100ND

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History: 2SK1004 | NTUD3174NZ | APT5010JFLL | IPI65R190C6 | AOD414 | KDD6030L

 

 
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