SVT03100ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVT03100ND
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SVT03100ND MOSFET
SVT03100ND Datasheet (PDF)
svt03100nl3.pdf
SVT03100NL3 45A30V N SVT03100NL3 N MOS S D1 8LVMOS S 7 D2 DS 3 6
svt03110pl3.pdf
SVT03110PL3 -46A-30V P SVT03110PL3 P MOS S D18 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svt037r0nl3.pdf
SVT037R0NL3 58A30V N SVT037R0NL3 N MOS S D1 8LVMOS S 7 D2 DS 3 6
Otros transistores... SVSP7N70FD2 , SVSP7N70FJDD2 , SVSP7N70SD2 , SVSP7N70SD2TR , SVSP80R180FJDE3 , SVSP80R180P7E3 , SVSP80R180SE3 , SVSP80R180SE3TR , 2SK3568 , SVT03100NL3 , SVT03110PL3 , SVT03200PSA , SVT032R5ND , SVT03380PSA , SVT033R5NAT , SVT033R5NT , SVT034R0NL5 .
History: FDS8949 | STM6916 | FDD5810F085 | IXTH12N45MA | STU404D | SDU02N60 | FQP20N06
History: FDS8949 | STM6916 | FDD5810F085 | IXTH12N45MA | STU404D | SDU02N60 | FQP20N06
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMTQ90N02A | JMTQ60N04B | JMTQ440P04A | JMTQ4407A | JMTQ380C03D | JMTQ3400D | JMTQ320N10A | JMTQ3010D | JMTQ3008A | JMTQ3006C | JMTQ3006B | JMTQ3005C | JMTQ3005A | JMTQ3003A | JMTQ250C03D | JMTLA3134K
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