SVT041R7NT Todos los transistores

 

SVT041R7NT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVT041R7NT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 298 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 195 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1990 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SVT041R7NT Datasheet (PDF)

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SVT041R7NT

SVT041R7NT 195A40V N 2SVT041R7NT N MOS LVMOS 1

 9.1. Size:352K  silan
 svt043r0nt svt043r0nl5tr.pdf pdf_icon

SVT041R7NT

SVT043R0NT/L5 180A40V N 2S D1 8SVT043R0NT/L5 N MOS S 7 D2 LVMOS 1DS 3 6 G 4 5 D

 9.2. Size:353K  silan
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SVT041R7NT

SVT042R5NL5(T) 240A40V N 2S D1 8SVT042R5NL5(T) N MOS S 7 D2 LVMOS 1DS 3 6 G 4 5 D

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 svt04230nr.pdf pdf_icon

SVT041R7NT

SVT04230NR 7A40V N 2SVT04230NR N MOS LVMOS 1

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History: AFN4228 | H4946S | 2SK1905 | IRF4104PBF | IXFH28N60P3 | BSC050N03MSG | SM7A25NSF

 

 
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