SVT041R7NT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SVT041R7NT
   Código: 041R7NT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 298 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 195 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 175 nC
   Tiempo de subida (tr): 51 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1990 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVT041R7NT

SVT041R7NT Datasheet (PDF)

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SVT041R7NT 195A40V N 2SVT041R7NT N MOS LVMOS 1

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SVT043R0NT/L5 180A40V N 2S D1 8SVT043R0NT/L5 N MOS S 7 D2 LVMOS 1DS 3 6 G 4 5 D

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svt042r5nl5tr svt042r5nt.pdf

SVT042R5NL5(T) 240A40V N 2S D1 8SVT042R5NL5(T) N MOS S 7 D2 LVMOS 1DS 3 6 G 4 5 D

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SVT04230NR 7A40V N 2SVT04230NR N MOS LVMOS 1

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SVT044R5NT/D/L5_Datasheet 178A, 40V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVT044R5NT/D/L5 an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using SILAN LVMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. This device is widely used in UPS, Power Mana

9.5. Size:459K silan
svt044r5nt svt044r5ndtr svt044r5nl5tr.pdf