SVT041R7NT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SVT041R7NT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 298 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 195 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1990 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SVT041R7NT
SVT041R7NT Datasheet (PDF)
svt043r0nt svt043r0nl5tr.pdf

SVT043R0NT/L5 180A40V N 2S D1 8SVT043R0NT/L5 N MOS S 7 D2 LVMOS 1DS 3 6 G 4 5 D
svt042r5nl5tr svt042r5nt.pdf

SVT042R5NL5(T) 240A40V N 2S D1 8SVT042R5NL5(T) N MOS S 7 D2 LVMOS 1DS 3 6 G 4 5 D
Другие MOSFET... SVT034R6NDTR , SVT034R6NT , SVT035R5NDTR , SVT035R5NL5 , SVT035R5NMJ , SVT035R5NSA , SVT035R5NT , SVT037R0NL3 , 13N50 , SVT04230NR , SVT042R5NL5TR , SVT042R5NT , SVT043R0NL5TR , SVT043R0NT , SVT044R5NDTR , SVT044R5NL5TR , SVT068R5NDTR .
History: AP9468GS | 2SK246



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350