SVT041R7NT - описание и поиск аналогов

 

SVT041R7NT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVT041R7NT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 298 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 195 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1990 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SVT041R7NT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVT041R7NT даташит

 ..1. Size:390K  silan
svt041r7nt.pdfpdf_icon

SVT041R7NT

 9.1. Size:352K  silan
svt043r0nt svt043r0nl5tr.pdfpdf_icon

SVT041R7NT

SVT043R0NT/L5 180A 40V N 2 S D 1 8 SVT043R0NT/L5 N MOS S 7 D 2 LVMOS 1 D S 3 6 G 4 5 D

 9.2. Size:353K  silan
svt042r5nl5tr svt042r5nt.pdfpdf_icon

SVT041R7NT

 9.3. Size:382K  silan
svt04230nr.pdfpdf_icon

SVT041R7NT

Другие MOSFET... SVT034R6NDTR , SVT034R6NT , SVT035R5NDTR , SVT035R5NL5 , SVT035R5NMJ , SVT035R5NSA , SVT035R5NT , SVT037R0NL3 , TK10A60D , SVT04230NR , SVT042R5NL5TR , SVT042R5NT , SVT043R0NL5TR , SVT043R0NT , SVT044R5NDTR , SVT044R5NL5TR , SVT068R5NDTR .

History: TMP830AZ | H10N60F | GM7002

 

 

 

 

↑ Back to Top
.