SVT042R5NL5TR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVT042R5NL5TR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 240 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 89 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 770 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
Encapsulados: PDFN8-5X6
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SVT042R5NL5TR datasheet
svt043r0nt svt043r0nl5tr.pdf
SVT043R0NT/L5 180A 40V N 2 S D 1 8 SVT043R0NT/L5 N MOS S 7 D 2 LVMOS 1 D S 3 6 G 4 5 D
svt044r5nt svt044r5nd svt044r5nl5.pdf
SVT044R5NT/D/L5_Datasheet 178A, 40V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVT044R5NT/D/L5 an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using SILAN LVMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. This device is widely used in UPS, Power Mana
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History: S60N18RN | SL8N100H | FDMS7650DC | STD7NM80-1
History: S60N18RN | SL8N100H | FDMS7650DC | STD7NM80-1
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