SVT042R5NL5TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVT042R5NL5TR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 240 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 89 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 770 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN8-5X6
Búsqueda de reemplazo de SVT042R5NL5TR MOSFET
SVT042R5NL5TR Datasheet (PDF)
svt042r5nl5tr svt042r5nt.pdf
SVT042R5NL5(T) 240A40V N 2S D1 8SVT042R5NL5(T) N MOS S 7 D2 LVMOS 1DS 3 6 G 4 5 D
svt043r0nt svt043r0nl5tr.pdf
SVT043R0NT/L5 180A40V N 2S D1 8SVT043R0NT/L5 N MOS S 7 D2 LVMOS 1DS 3 6 G 4 5 D
svt044r5nt svt044r5nd svt044r5nl5.pdf
SVT044R5NT/D/L5_Datasheet 178A, 40V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVT044R5NT/D/L5 an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using SILAN LVMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. This device is widely used in UPS, Power Mana
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History: IRFU120Z
History: IRFU120Z
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